公司承辦全國半導體材料標準工作會
廣東省名優高新技術產品
公司與北京大學、波蘭國家高壓實驗室開展合作，使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底
獲東莞市協同倍增企業
公司研發的低位錯密度(4E5 to 7E5cm-2)氮化鎵自支撐襯底產品量產
成功突破了氮化鎵的N面歐姆接觸及Ga面的肖特基接觸制備技術，獲得了GaN ON GaN肖特基二極管
獲2019年度國家知識產權優勢企業榮譽稱號
北京大學與中圖半導體\中鎵半導體共同完成項目”氮化物半導體大失配異質外延技術”榮獲國家技術發明獎二等獎
2018年12月，中鎵半導體科技有限公司作為主起草單位之一起草的國家標準“半導體照明術語”發布。
中鎵半導體科技有限公司的4英寸氮化鎵藍寶石復合襯底、6英寸硅基氮化鎵功率器件外延片被認定為“廣東省高新技術產品”；
中鎵半導體科技有限公司主筆起草的國家標準“制備氮化物半導體材料用氫化物氣相外延設備”發布；
東莞市經濟和信息化局局長葉葆華、副局長劉錦棠一行，在企石鎮黨委書記袁麗群、企石鎮鎮長熊仕權的陪同下，蒞臨東莞市中鎵半導體科技有限公司參觀調研
東莞市中鎵半導體科技有限公司榮獲全國半導體設備和材料標準化技術委員會2017年度“突出貢獻獎”
由東莞市中鎵半導體科技有限公司主筆起草的國家標準《氮化鎵激光剝離設備》、《制備氮化物半導體材料用氫化物氣相外延設備》經委員審議通過并報批
東莞市中鎵半導體科技有限公司氮化鎵（GaN）單晶襯底取得重大突破
東莞市中鎵半導體科技有限公司被認定為“2017年廣東省半導體材料與器件工程技術研究中心”
東莞市中鎵半導體科技有限公司列入東莞市知識產權保護重點企業
東莞市中鎵半導體科技有限公司榮獲“中國LED技術創新30強企業”
2016年9月，由東莞市中鎵半導體科技有限公司參與成立的中國第三代半導體產業南方基地在國家科技部原副部長、國家第三代半導體產業決策委員會主任曹健林，廣東省副省長袁寶成的見證下揭牌；
2016年7月，中鎵半導體科技有限公司《半導體照明用圖形化藍寶石襯底關鍵技術與產業化》項目榮獲“東莞市科技進步二等獎”獎項；
2016年7月，中鎵半導體科技有限公司總經理張國義榮獲“榮譽類市長獎——企業類技術領軍人物”獎項；
2016年3月，市委常委、市委組織部部長白濤一行人在鎮委書記、鎮人大主席陳福坤以及黨政辦、組織辦等有關人員的陪同下，蒞臨東莞市中鎵半導體科技有限公司參觀調研；
2016年1月，中鎵半導體科技有限公司被廣東省高新技術企業協會認定為2015年廣東創新型企業（試點）；
2016年1月，中鎵半導體科技有限公司名譽董事長、中國科學院院士甘子釗獲頒“東莞市榮譽市民”稱號；
2015年10月，中鎵半導體科技有限公司被科學技術部認定為國家國際科技合作基地；
2015年10月，中鎵半導體科技有限公司被廣東省知識產權局認定為廣東省知識產權示范企業；
2015年4月，中鎵半導體科技有限HVPE設備研發部劉鵬獲得全國勞動模范榮譽稱號，受到了黨和國家領導人的親切接見；
2014年4月24日、25日東莞市中鎵半導體科技有限公司承辦國家標準《激光剝離設備》等五項標準討論會；
2014年3月23日省委書記胡春華到光大集團旗下子公司中鎵半導體科技有限公司開展專題調研；
2013年12月4日中鎵半導體科技有限公司主筆起草的國家標準通過審定；
2013年7月18日 張科副市長率市“三重”項目建設視察組到中鎵半導體科技有限公司視察；
2013年4月被經濟日報社評為“最具成長創新企業”；
2013年1月中鎵半導體科技有限公司圖形化藍寶石襯底、氮化鎵/藍寶石復合襯底獲廣東科學廳認定為廣東省重點新產品；
2013年1月被東莞市科學技術協會評為“2012年度東莞市科協系統先進企業科協”；
2012年下半年，中鎵半導體科技有限公司公司參加廣東省科技廳組織的廣東省光組件籌備工作；
2012年11月1日，在東莞國際科技合作周上，中鎵半導體科技有限公司與北京大學東莞光電研究院和德國費迪南德-布朗恩研究所簽屬合作協議，三方將于半導體激光器領域開展合作；
2012年10月17日，由科技部黨組成員、中央紀委駐科技部紀檢組組長郭向遠帶領的國家檢查小組以及省、市和鎮街的迎檢小組人員一行人蒞臨中鎵，就中鎵半導體科技有限公司承擔的國家科技計劃項目的實施情況進行檢查和指導；
2012年9月23日，經廣東省科技廳組織專家的論證，中鎵半導體科技有限公司關于成立廣東省半導體照明襯底材料工程技術開發中心的方案成功通過；
2012年9月23日，中鎵半導體科技有限公司承辦的《國際氮化物半導體襯底與外延芯片發展戰略研討會》順利召開；
2012年9月11日，東莞市經信局副局長梁經昌蒞臨中鎵半導體科技有限公司參觀；
2012年8月中鎵半導體科技有限公司承擔廣東省LED照明產業《LED襯底測試技術規范》地方標準項目的編制工作；
2012年8月21日，中鎵半導體科技有限公司承辦《氮化鎵襯底片及外延片》國家標準的研討會順利召開；
2012年8月7日，東莞市社會保障局局長梁冰蒞臨中鎵半導體科技有限公司參觀調研；
2012年7月25日，科技部國際合作司參贊毛中穎一行蒞臨中鎵半導體科技有限公司參觀調研；
2011年10月，經廣東省科技廳批準建立廣東省院士工作站；
2011年05月，完成第二期pss襯底生產線的擴產工作，企業生產向規模化發展；
2010年12月，首臺激光剝離設備成功出口至美國，獲得了優異的評價；
2010年12月，中鎵半導體科技有限公司北京研發中心在北京大學昌平校區正式成立（北京燕園中鎵半導體工程研究中心）
2010年11月，獲廣東省科技廳認定為廣東省國際科研合作基地；
2010年10月，經國家人力資源部批準建立國家級博士后科研工作站；
2010年08月，聯合北京大學寬禁帶半導體研究中心成立中鎵半導體科技有限公司培訓學校，大力開展內部員工培訓；
2010年06月，原廣東省省長黃華華同志到中鎵半導體科技有限公司調研，聽取了創新科研團隊工作匯報，給予了高度的肯定；
2010年06月，引進北京大學寬禁帶半導體中心以甘子釗院士帶頭的廣東省首批創新科研團隊；
2010年05月，首條GaN氮化鎵襯底生產線建成，開始國內氮化鎵襯底的產業化工作;
2009年12月，第一條pss圖形化藍寶石襯底生產線建成，開始投產；
2009年5月，中鎵半導體科技有限公司第一件產品——微區激光剝離設備面世，亦表示國際上首臺純固體微區激光剝離設備的誕生;
2009年4月，中鎵半導體科技有限公司被評為東莞市民營科技企業；同月，中鎵半導體科技有限公司受讓北京大學四項國家發明專利，正式擁有關鍵技術領域自身自主知識產權；
2009年3月，中鎵半導體科技有限公司于北京市建立北京研發中心，面積達1000多平方；
2009年3月，東莞市副市長冷曉明、企石鎮鎮委書記麥廣欽蒞臨中鎵半導體科技有限公司廠房考察建設進度，表示對本項目的高度重視；同月，與國內最頂尖的技術團隊北京大學寬禁帶半導體研究中心簽署技術合作協議，攜手共同向世界出發；
2009年1月12日，中鎵半導體科技有限公司正式注冊成立，扎根中國半導體行業發展重點城市——東莞；
2008年11月，廣東光大企業集團、北京大學在廣東省東莞市正式簽署合作協議；同年，中鎵半導體科技有限公司籌備小組與當地政府簽署《招商引資扶持協議》，政府提供土地等一系列大力支持，建立廠房面積超過17000平方米；
2008年中，投資方廣東光大企業集團、北京大學開始洽談本項目，乃中國國內第一個半導體氮化鎵襯底材料產業化的項目；
